Формула памяти
К середине девяностых среднее значение RASto CAS Delay составляло порядка 30 нс., CAS Delay – 40 нс., а RAS precharge – менее 30 нс. (наносекунд). Таким образом, при частоте системной шины в 60 МГц (т.е. ~17 нс.) на открытие и доступ к первой ячейки страницы уходило около 6 тактов, а на доступ к остальным ячейкам открытой страницы – около 3 тактов. Схематически это записывается как 6-3-x-x и называется формулой памяти.
Формула памяти упрощает сравнение различных микросхем друг с другом, однако для достоверного сравнения необходимо знать преобладающий тип обращений к памяти: последовательный или хаотичный. Например, как узнать, какая из двух микросхем лучше: 5?4?x?x или 6?3?x?x? В данной постановке вопрос вообще лишен смысла. Лучше для чего? Для потоковых алгоритмов с последовательной обработкой данных, бесспорно, предпочтительнее последний тип памяти, в противном случае сравнение бессмысленно, т.к. чтение двух несмежных ячеек займет не 5-5-х-х и, соответственно, 6?6?х?х тактов, а 5+RAS Precharge?5+RAS Precharge?x?x и 6+RAS prechange-6+RAS prechange?x?x. Поскольку время регенерации обоих микросхем не обязательно должно совпадать, может сложиться так, что микросхема 6?3?x?x окажется быстрее и для последовательного, и для хаотичного доступа. Поэтому, практическое значение имеет сравнение лишь вторых цифр – времени рабочего цикла. Совершенствуя ядро памяти, производители сократили его сначала до 35, а затем и до 30 нс., достигнув практически семикратного превосходства над микросхемами прошлого поколения.
